寧波達新半導體有限公司是由海歸博士創立的一家中外合資的國家級高新技術企業，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，并提供相關的應用解決方案。公司注冊資本1960萬元，投資方包括知名的投資機構和汽車行業合作方。 達新半導體團隊擁有多年海內外功率半導體芯片及模塊研發和制造經驗，在國內IGBT行業擁有較高的知名度。

       公司總部位于浙江省余姚市，建有國內領先的測試應用評估中心，中心包括芯片評估、器件測試、應用分析及可靠性等實驗室。公司建有一條制造手段先進IGBT模塊產線，在上海有芯片設計中心，負責芯片設計和制造管理。公司具備芯片設計、晶圓制造、模塊制造及應用的完整IGBT產業鏈，在IGBT芯片開發，模塊制造和產品應用具有自己獨特優勢。

       公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發600V-3300V IGBT芯片產品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業變頻、感應加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風力發電、SVG等領域。

       針對IGBT產品仍然為國外壟斷的局面， IGBT公司秉承“創新、品質、誠信、共贏”的理念，共謀產業鏈、尤其是應用端的合作，實現合作互惠共贏。